[TE200] Transisto 3D

[Ewaldo Luiz M. Mehl]

Prezados alunos de "Engenharia Elétrica e Sociedade I":

O assunto desta palestra, o Transistor 3D desenvolvido pela INTEL, foi
o tema da pergunta de um aluno em aula recente, quando comentei com
vocês sobre a Lei de Moore. Quem tiver interesse e disponibilidade de
tempo, recomendo assistir!
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Ewaldo L. M. Mehl, Prof. Dr.
Universidade Federal do Paraná
mehl  ufpr.br




O PET Elétrica convida a todos para o nosso seminário semanal.
Tema: Intel 3D Transistor. The FET's Evolution
Autor: Felipe Gabriel G. Camargo

Sala: PK-05

Horário: 13:00 até 13:30

Data: 19/05 (Quinta-feira)

Idioma: Inglês

Resumo: A lei de Moore sempre motivou a constante evolução das
técnicas de integração dos transistores. Para tanto as empresas vêm,
ao longo dos anos, se desdobrando para conseguir tal feito. Novas
formas de se construir e novas maneiras de se pensar em como aumentar
cada vez mais a densidade de transistores nas pastilhas de silício,
sem é claro aumentar os custos, são os paradigmas dos fabricantes de
semicondutores.

Este seminário tem por objetivo mostrar o mais novo tipo de transistor
sendo fabricado pela Intel, o Intel Tri-Gate CMOS (ou comercialmente
Intel 3D Transistor), e para isto passa por parte do processo
evolutivo que os transistores de efeito de campo sofreram ao longo dos
anos.

Link para assistir o seminário online: http://eletrica.ufpr.br/pet
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Grupo PET Engenharia Elétrica
Universidade Federal do Paraná
            (41) 3361-3225
www.eletrica.ufpr.br/pet
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